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FDP2D9N12C

现货

翔鸥贸易为您提供onsemi设计生产的FDP2D9N12C 型号,现有大量现货库存。FDP2D9N12C的封装/规格参数为TO-220-3;同时翔鸥贸易为您提供onsemi品牌FDP2D9N12C型号数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有FDP2D9N12C详细使用方法及教程。

制造商:onsemi
描述:PTNG 120V N-FET TO220
封装/外壳:TO-220-3
库存:1091
规格书:
FDP2D9N12C 产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 FDP2D9N12C
描述 PTNG 120V N-FET TO220
制造商 onsemi
库存 1091
系列 PowerTrench®
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 120 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 18A(Ta),210A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 2.9 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 686µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 109 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 8894 pF @ 60 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.4W(Ta),333W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220
封装/外壳 TO-220-3
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