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| R6515ENZC8 产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | R6515ENZC8 |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 15A TO3 |
| 制造商 | Rohm Semiconductor |
| 库存 | 8996 |
| 系列 | - |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 15A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 315 毫欧 @ 6.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 430µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 40 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 910 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 60W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-3PF |
| 封装/外壳 | TO-3P-3 整包 |
