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| UF3SC065030D8S 产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | UF3SC065030D8S |
| 描述 | SICFET N-CH 650V 18A 4DFN |
| 制造商 | UnitedSiC |
| 库存 | 3148 |
| 系列 | - |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | SiCFET（共源共栅 SiCJFET） |
| 漏源电压（Vdss） | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 18A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 12V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 42毫欧 @ 20A，12V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 6V @ 10mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 43 nC @ 12 V |
| Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1500 pF @ 100 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 179W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 4-DFN（8x8） |
| 封装/外壳 | 4-PowerTSFN |
