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| SCTWA35N65G2VAG 产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | SCTWA35N65G2VAG |
| 描述 | SICFET N-CH 650V 45A TO247 |
| 制造商 | STMicroelectronics |
| 库存 | 6541 |
| 系列 | - |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | SiCFET（碳化硅） |
| 漏源电压（Vdss） | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 45A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 18V，20V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 72毫欧 @ 20A，20V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.2V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 73 nC @ 20 V |
| Vgs（最大值） | +20V，-5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1370 pF @ 400 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 208W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-247 长引线 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
