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翔鸥贸易为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的TK12J60W,S1VE(S 型号,现有大量现货库存。TK12J60W,S1VE(S的封装/规格参数为TO-3P-3,SC-65-3;同时翔鸥贸易为您提供Toshiba Semiconductor and Storage品牌TK12J60W,S1VE(S型号数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有TK12J60W,S1VE(S详细使用方法及教程。
| TK12J60W,S1VE(S 产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准! | |
| 制造商零件编号 | TK12J60W,S1VE(S |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 11.5A TO3P |
| 制造商 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 库存 | 5432 |
| 系列 | - |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
| 漏源电压(Vdss) | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 11.5A(Ta) |
| 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 300 毫欧 @ 5.8A,10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3.7V @ 600µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 25 nC @ 10 V |
| Vgs(最大值) | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 890 pF @ 300 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散(最大值) | 110W(Tc) |
| 工作温度 | 150°C |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-3P(N) |
| 封装/外壳 | TO-3P-3,SC-65-3 |
