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NVATS5A113PLZT4G

现货

翔鸥贸易为您提供onsemi设计生产的NVATS5A113PLZT4G 型号,现有大量现货库存。NVATS5A113PLZT4G的封装/规格参数为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;同时翔鸥贸易为您提供onsemi品牌NVATS5A113PLZT4G型号数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有NVATS5A113PLZT4G详细使用方法及教程。

制造商:onsemi
描述:MOSFET P-CHANNEL 60V 38A ATPAK
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
库存:7971
规格书:
NVATS5A113PLZT4G 产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 NVATS5A113PLZT4G
描述 MOSFET P-CHANNEL 60V 38A ATPAK
制造商 onsemi
库存 7971
系列 Automotive, AEC-Q101
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 38A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 29.5 毫欧 @ 18A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.6V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 55 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2400 pF @ 20 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 60W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 ATPAK
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
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