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CP375-CWDM3011N-CT

现货

翔鸥贸易为您提供Central Semiconductor Corp设计生产的CP375-CWDM3011N-CT 型号,现有大量现货库存。CP375-CWDM3011N-CT的封装/规格参数为模具;同时翔鸥贸易为您提供Central Semiconductor Corp品牌CP375-CWDM3011N-CT型号数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有CP375-CWDM3011N-CT详细使用方法及教程。

制造商:Central Semiconductor Corp
描述:MOSFET N-CH 11A 30V BARE DIE
封装/外壳:模具
库存:1134
规格书:
CP375-CWDM3011N-CT 产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 CP375-CWDM3011N-CT
描述 MOSFET N-CH 11A 30V BARE DIE
制造商 Central Semiconductor Corp
库存 1134
系列 -
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 11A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 20 毫欧 @ 11A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 6.3 nC @ 5 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 860 pF @ 15 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.5W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 模具
封装/外壳 模具
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