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翔鸥贸易为您提供Infineon Technologies设计生产的IGT60R070D1E8220ATMA1 型号，现有大量现货库存。IGT60R070D1E8220ATMA1的封装/规格参数为8-PowerSFN；同时翔鸥贸易为您提供Infineon Technologies品牌IGT60R070D1E8220ATMA1型号数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IGT60R070D1E8220ATMA1详细使用方法及教程。
| IGT60R070D1E8220ATMA1 产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | IGT60R070D1E8220ATMA1 |
| 描述 | GAN HV |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 库存 | 4841 |
| 系列 | CoolGaN™ |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | GaNFET（氮化镓） |
| 漏源电压（Vdss） | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 31A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | - |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | - |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1，6V @ 2，6mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | - |
| Vgs（最大值） | -10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 380 pF @ 400 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 125W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PG-HSOF-8-3 |
| 封装/外壳 | 8-PowerSFN |
