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| EPC8002 产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | EPC8002 |
| 描述 | GANFET N-CH 65V 2A DIE |
| 制造商 | EPC |
| 库存 | 8822 |
| 系列 | eGaN® |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | GaNFET（氮化镓） |
| 漏源电压（Vdss） | 65 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 530 毫欧 @ 500mA，5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | - |
| Vgs（最大值） | +6V，-4V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 21 pF @ 32.5 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | - |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 模具 |
| 封装/外壳 | 模具 |
