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| SI1050X-T1-GE3 产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | SI1050X-T1-GE3 |
| 描述 | MOSFET N-CH 8V 1.34A SC89-6 |
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 库存 | 5020 |
| 系列 | TrenchFET® |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 8 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.34A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 86 毫欧 @ 1.34A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 11.6 nC @ 5 V |
| Vgs（最大值） | ±5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 585 pF @ 4 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 236mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SC-89（SOT-563F） |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
