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V12P10-M3/86A

现货

翔鸥贸易为您提供Vishay General Semiconductor - Diodes Division设计生产的V12P10-M3/86A 型号,现有大量现货库存。V12P10-M3/86A的封装/规格参数为TO-277,3-PowerDFN;同时翔鸥贸易为您提供Vishay General Semiconductor - Diodes Division品牌V12P10-M3/86A型号数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有V12P10-M3/86A详细使用方法及教程。

制造商:Vishay General Semiconductor - Diodes Division
描述:DIODE SCHOTTKY 100V 12A TO277A
封装/外壳:TO-277,3-PowerDFN
库存:5052
规格书:
V12P10-M3/86A 产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 V12P10-M3/86A
描述 DIODE SCHOTTKY 100V 12A TO277A
制造商 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 5052
系列 eSMP®, TMBS®
二极管类型 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) 100 V
电流 - 平均整流 (Io) 12A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) 700 mV @ 12 A
速度 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr) -
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 250 µA @ 100 V
不同 Vr、F 时电容 -
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-277,3-PowerDFN
供应商器件封装 TO-277A(SMPC)
工作温度 - 结 -40°C ~ 150°C
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