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| 1N1186 产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | 1N1186 |
| 描述 | DIODE GEN PURP 200V 35A DO5 |
| 制造商 | GeneSiC Semiconductor |
| 库存 | 1469 |
| 系列 | - |
| 二极管类型 | 标准 |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 200 V |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 35A |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.2 V @ 35 A |
| 速度 | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间 (trr) | - |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 10 µA @ 50 V |
| 不同 Vr、F 时电容 | - |
| 安装类型 | 底座，接线柱安装 |
| 封装/外壳 | DO-203AB，DO-5，接线柱 |
| 供应商器件封装 | DO-5 |
| 工作温度 - 结 | -65°C ~ 190°C |
