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| 2N1131 产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | 2N1131 |
| 描述 | POWER BJT |
| 制造商 | Microchip Technology |
| 库存 | 8293 |
| 系列 | - |
| 晶体管类型 | PNP |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 600 mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 40 V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 1.3V @ 15mA，150mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 20 @ 150mA，10V |
| 功率 - 最大值 | 600 mW |
| 频率 - 跃迁 | - |
| 工作温度 | -65°C ~ 200°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-205AD，TO-39-3 金属罐 |
| 供应商器件封装 | TO-39（TO-205AD） |
