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| VWM200-01P 产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | VWM200-01P |
| 描述 | MOSFET 6N-CH 100V 210A V2 |
| 制造商 | IXYS |
| 库存 | 8379 |
| 系列 | - |
| FET 类型 | 6 N-沟道（3 相桥） |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 100V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 210A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5.2 毫欧 @ 100A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 2mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 430nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | - |
| 功率 - 最大值 | - |
| 工作温度 | -40°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 封装/外壳 | V2-PAK |
| 供应商器件封装 | V2-PAK |
