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翔鸥贸易为您提供Nisshinbo Micro Devices Inc.设计生产的NJG1812ME4-TE1 型号，现有大量现货库存。NJG1812ME4-TE1的封装/规格参数为12-XFQFN 裸露焊盘；同时翔鸥贸易为您提供Nisshinbo Micro Devices Inc.品牌NJG1812ME4-TE1型号数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有NJG1812ME4-TE1详细使用方法及教程。
| NJG1812ME4-TE1 产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | NJG1812ME4-TE1 |
| 描述 | HIGH POWERDPDT SWITCH GAAS MMIC |
| 制造商 | Nisshinbo Micro Devices Inc. |
| 库存 | 7739 |
| 系列 | - |
| 射频类型 | CDMA，GSM，LTE，UMTS |
| 拓扑 | - |
| 电路 | DPDT |
| 频率范围 | 3GHz |
| 隔离 | 17dB |
| 插损 | 0.45dB |
| 测试频率 | 2.7GHz |
| P1dB | - |
| IIP3 | - |
| 特性 | 直流隔离 |
| 阻抗 | 50 欧姆 |
| 电压 - 供电 | 2.4V ~ 5V |
| 工作温度 | -40°C ~ 105°C |
| 封装/外壳 | 12-XFQFN 裸露焊盘 |
| 供应商器件封装 | 2.8W（Ta），53.6W（Tc） |
