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  • 23-12-25
  • 翔鸥贸易
MIC29302WU电源管理(PMIC) 稳压器 - 线性产品资料

技术参数品牌:MICREL型号:MIC29302WU封装:TO-263-5批号:22+数量:32221制造商:Microchip产品种类:低压差稳压器RoHS:是安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-263-5输出电压:1.25 V to 25 V输出电流:3 A输出端数量:1 Output最大输入电压:26 ...…

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  • 23-12-25
  • 翔鸥贸易
UCC28070PWR电源管理(PMIC) PFC(功率因数校正)资料

技术参数品牌:TI型号:UCC28070PWR封装:TSSOP20批号:21+数量:1938类别:集成电路(IC) PMIC - PFC(功率因数校正)制造商:Texas Instruments模式:连续导电(CCM)频率 - 开关:可调式电流 - 启动:20 mA电压 - 供电:11.2V ~ 21V工作温度:-40...…

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  • 23-12-22
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PESD5V0L2UU,115双向ESD保护二极管-型号参数

技术参数品牌:NEXPERIA型号:PESD5V0L2UU,115封装:SOP14批号:22+数量:52000类别:电路保护 TVS - 二极管制造商:Nexperia USA Inc.系列:Automotive, AEC-Q101单向通道:2电压 - 反向断态(典型值):5V(最大)电压 - 击穿(最小值):5.8V...…

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  • 23-12-22
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BSZ031NE2LS5金属氧化物半导体场效应晶体管-型号参数

技术参数品牌:Infineon/英飞凌型号:BSZ031NE2LS5封装:进口封装批号:22+数量:8000RoHS:是产品种类:电子元器件最小工作温度:-30C最大工作温度:125C最小电源电压:2V最大电源电压:9.5V长度:9.7mm宽度:8.2mm高度:2.6mm特点•优化高性能Buck转换器•适用于高频MPS...…

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  • 23-12-22
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MMBFJ309LT1G结型场效应晶体管-型号参数

技术参数品牌:ON型号:MMBFJ309LT1G封装:SOT-23批号:22+数量:90000制造商:ON Semiconductor产品种类:JFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:N-Channel配置:SingleVds-漏源极击穿电压:25 VVgs-栅源极击穿电...…

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  • 23-12-22
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TJA1040T/CM,118驱动器,接收器,收发器-型号参数

技术参数品牌:NXP/恩智浦型号:TJA1040T/CM 118封装:SOP8批号:22+数量:18000RoHS:是产品种类:电子元器件最小工作温度:-50C最大工作温度:80C最小电源电压:5V最大电源电压:7.5V长度:1.1mm宽度:8mm高度:2.7mm一般说明:TJA1040是控制器区域之间的接口网络(CA...…

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  • 23-12-22
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AD7392ARZ电压输出、数模转换器-型号参数

技术参数品牌:ADI(亚德诺)型号:AD7392ARZ批号:23+数量:5000制造商:Analog Devices Inc.产品种类:数模转换器- DACRoHS:是系列:AD7392分辨率:12 bit采样比:17 kS/s通道数量:1 Channel稳定时间:60 us接口类型:Parallel电源电压-最大:5...…

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  • 23-12-21
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IPD50N04S4-10电子元器件-行业资讯

技术参数品牌:INFINEON/英飞凌型号:IPD50N04S4-10封装:TO252-3批次:21+数量:10000制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3通道数量:1 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:40 ...…

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  • 23-12-21
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1SMB5935BT3G分立半导体产品单齐纳二极管-行业资讯

技术参数品牌:ON型号:1SMB5935BT3G封装:DO-214AASMB批号:2020+数量:23000类别:分立半导体产品 单齐纳二极管制造商:onsemiProduct Status:在售电压 - 齐纳(标称值)(Vz):27 V容差:5%功率 - 最大值:3 W阻抗(最大值)(Zzt):23 Ohms不同 V...…

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  • 23-12-21
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FDS6898A高功率和高电流处理-行业资讯

技术参数品牌:FAIRCHILD型号:FDS6898A封装:SOP8批号:14+PB数量:152制造商:ON Semiconductor产品种类:MOSFETRoHS:是技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SO-8通道数量:2 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VI...…

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