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| SI5457DC-T1-GE3 产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | SI5457DC-T1-GE3 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8 |
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 库存 | 4535 |
| 系列 | TrenchFET® |
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 36 毫欧 @ 4.9A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 38 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1000 pF @ 10 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 5.7W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 1206-8 ChipFET™ |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
