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DMN3032LE-13 产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准! | |
制造商零件编号 | DMN3032LE-13 |
描述 | MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223 |
制造商 | Diodes Incorporated |
库存 | 2779 |
系列 | - |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.6A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 29 毫欧 @ 3.2A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 11.3 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 498 pF @ 15 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 1.8W(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | SOT-223-3 |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |