24小时热线: 400-900-9110
地址
上海市奉贤区平庄西路1599号
400-900-9110
IRLMS1503TRPBF 产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准! | |
制造商零件编号 | IRLMS1503TRPBF |
描述 | MOSFET N-CH 30V 3.2A MICRO6 |
制造商 | Infineon Technologies |
库存 | 1466 |
系列 | HEXFET® |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.2A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 100 毫欧 @ 2.2A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 9.6 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 210 pF @ 25 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 1.7W(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | Micro6™(TSOP-6) |
封装/外壳 | SOT-23-6 |