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翔鸥贸易为您提供Vishay Siliconix设计生产的SI2333DS-T1-E3 型号，现有大量现货库存。SI2333DS-T1-E3的封装/规格参数为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；同时翔鸥贸易为您提供Vishay Siliconix品牌SI2333DS-T1-E3型号数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有SI2333DS-T1-E3详细使用方法及教程。
| SI2333DS-T1-E3 产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | SI2333DS-T1-E3 |
| 描述 | MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3 |
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 库存 | 2210 |
| 系列 | TrenchFET® |
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 12 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.1A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 32 毫欧 @ 5.3A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 18 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1100 pF @ 6 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 750mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
