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翔鸥贸易为您提供Infineon Technologies设计生产的BSZ060NE2LSATMA1 型号，现有大量现货库存。BSZ060NE2LSATMA1的封装/规格参数为8-PowerTDFN；同时翔鸥贸易为您提供Infineon Technologies品牌BSZ060NE2LSATMA1型号数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有BSZ060NE2LSATMA1详细使用方法及教程。
| BSZ060NE2LSATMA1 产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | BSZ060NE2LSATMA1 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 12A/40A TSDSON |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 库存 | 2578 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 25 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12A（Ta），40A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 6 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 9.1 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 670 pF @ 12 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 2.1W（Ta），26W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PG-TSDSON-8-FL |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
