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FQD4P25TM-WS 产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准! | |
制造商零件编号 | FQD4P25TM-WS |
描述 | MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK |
制造商 | onsemi |
库存 | 8939 |
系列 | QFET® |
FET 类型 | P 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 250 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.1A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 2.1 欧姆 @ 1.55A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 14 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 420 pF @ 25 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 2.5W(Ta),45W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | TO-252AA |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |