24小时客户服务: 400-900-9110
24小时热线: 400-900-9110
地址
上海市奉贤区平庄西路1599号
400-900-9110
| IRLHM630TRPBF 产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | IRLHM630TRPBF |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 库存 | 1140 |
| 系列 | HEXFET® |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 21A（Ta），40A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.5 毫欧 @ 20A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.1V @ 50µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 62 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3170 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 2.7W（Ta），37W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PQFN（3x3） |
| 封装/外壳 | 8-VQFN 裸露焊盘 |
