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翔鸥贸易为您提供Infineon Technologies设计生产的BSP149H6327XTSA1 型号,现有大量现货库存。BSP149H6327XTSA1的封装/规格参数为TO-261-4,TO-261AA;同时翔鸥贸易为您提供Infineon Technologies品牌BSP149H6327XTSA1型号数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有BSP149H6327XTSA1详细使用方法及教程。
BSP149H6327XTSA1 产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准! | |
制造商零件编号 | BSP149H6327XTSA1 |
描述 | MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4 |
制造商 | Infineon Technologies |
库存 | 5064 |
系列 | SIPMOS® |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 200 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 660mA(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 0V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 1.8 欧姆 @ 660mA,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 400µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 14 nC @ 5 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 430 pF @ 25 V |
FET 功能 | 耗尽模式 |
功率耗散(最大值) | 1.8W(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | PG-SOT223-4 |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |