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翔鸥贸易为您提供Vishay Siliconix设计生产的SIR165DP-T1-GE3 型号,现有大量现货库存。SIR165DP-T1-GE3的封装/规格参数为PowerPAK® SO-8;同时翔鸥贸易为您提供Vishay Siliconix品牌SIR165DP-T1-GE3型号数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有SIR165DP-T1-GE3详细使用方法及教程。
SIR165DP-T1-GE3 产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准! | |
制造商零件编号 | SIR165DP-T1-GE3 |
描述 | MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8 |
制造商 | Vishay Siliconix |
库存 | 7064 |
系列 | TrenchFET® Gen III |
FET 类型 | P 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 60A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 4.6 毫欧 @ 15A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.3V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 138 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 4930 pF @ 15 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 69.4W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |