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翔鸥贸易为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的TPH2R608NH,L1Q 型号,现有大量现货库存。TPH2R608NH,L1Q的封装/规格参数为8-PowerVDFN;同时翔鸥贸易为您提供Toshiba Semiconductor and Storage品牌TPH2R608NH,L1Q型号数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有TPH2R608NH,L1Q详细使用方法及教程。
TPH2R608NH,L1Q 产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准! | |
制造商零件编号 | TPH2R608NH,L1Q |
描述 | MOSFET N-CH 75V 150A 8SOP |
制造商 | Toshiba Semiconductor and Storage |
库存 | 8860 |
系列 | U-MOSVIII-H |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 75 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 150A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 2.6 毫欧 @ 50A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 72 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 6000 pF @ 37.5 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 142W(Tc) |
工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | 8-SOP Advance(5x5) |
封装/外壳 | 8-PowerVDFN |