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翔鸥贸易为您提供Infineon Technologies设计生产的BSC0501NSIATMA1 型号,现有大量现货库存。BSC0501NSIATMA1的封装/规格参数为8-PowerTDFN;同时翔鸥贸易为您提供Infineon Technologies品牌BSC0501NSIATMA1型号数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有BSC0501NSIATMA1详细使用方法及教程。
BSC0501NSIATMA1 产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准! | |
制造商零件编号 | BSC0501NSIATMA1 |
描述 | MOSFET N-CH 30V 29A/100A TDSON |
制造商 | Infineon Technologies |
库存 | 6546 |
系列 | OptiMOS™ |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 29A(Ta),100A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 1.9 毫欧 @ 30A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 33 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 2200 pF @ 15 V |
FET 功能 | 肖特基二极管(体) |
功率耗散(最大值) | 2.5W(Ta),50W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | PG-TDSON-8-6 |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN |