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FDD86367 产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准! | |
制造商零件编号 | FDD86367 |
描述 | MOSFET N-CH 80V 100A DPAK |
制造商 | onsemi |
库存 | 1167 |
系列 | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 80 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 4.2 毫欧 @ 80A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 88 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 4840 pF @ 40 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 227W(Tj) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | D-PAK(TO-252) |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |