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翔鸥贸易为您提供Infineon Technologies设计生产的IRLR3636TRPBF 型号,现有大量现货库存。IRLR3636TRPBF的封装/规格参数为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;同时翔鸥贸易为您提供Infineon Technologies品牌IRLR3636TRPBF型号数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有IRLR3636TRPBF详细使用方法及教程。
IRLR3636TRPBF 产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准! | |
制造商零件编号 | IRLR3636TRPBF |
描述 | MOSFET N-CH 60V 50A DPAK |
制造商 | Infineon Technologies |
库存 | 4007 |
系列 | HEXFET® |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 60 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 50A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 6.8 毫欧 @ 50A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 100µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 49 nC @ 4.5 V |
Vgs(最大值) | ±16V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 3779 pF @ 50 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 143W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | D-Pak |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |