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TP2510N8-G 产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准! | |
制造商零件编号 | TP2510N8-G |
描述 | MOSFET P-CH 100V 480MA TO243AA |
制造商 | Microchip Technology |
库存 | 1001 |
系列 | - |
FET 类型 | P 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 100 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 480mA(Tj) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 3.5 欧姆 @ 750mA,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.4V @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | - |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 125 pF @ 25 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 1.6W(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | TO-243AA(SOT-89) |
封装/外壳 | TO-243AA |