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TPW1R005PL,L1Q

现货

翔鸥贸易为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的TPW1R005PL,L1Q 型号,现有大量现货库存。TPW1R005PL,L1Q的封装/规格参数为8-PowerWDFN;同时翔鸥贸易为您提供Toshiba Semiconductor and Storage品牌TPW1R005PL,L1Q型号数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有TPW1R005PL,L1Q详细使用方法及教程。

制造商:Toshiba Semiconductor and Storage
描述:MOSFET N-CH 45V 300A 8DSOP
封装/外壳:8-PowerWDFN
库存:9979
规格书:
TPW1R005PL,L1Q 产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 TPW1R005PL,L1Q
描述 MOSFET N-CH 45V 300A 8DSOP
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
库存 9979
系列 U-MOSIX-H
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 45 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 300A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) -
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 122 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 9600 pF @ 22.5 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 960mW(Ta),170W(Tc)
工作温度 175°C
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 8-DSOP Advance
封装/外壳 8-PowerWDFN
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