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IRFD9020PBF 产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准! | |
制造商零件编号 | IRFD9020PBF |
描述 | MOSFET P-CH 60V 1.6A 4DIP |
制造商 | Vishay Siliconix |
库存 | 2029 |
系列 | - |
FET 类型 | P 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 60 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.6A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 280 毫欧 @ 960mA,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 19 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 570 pF @ 25 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 1.3W(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | 4-HVMDIP |
封装/外壳 | 4-DIP(0.300",7.62mm) |