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| IRLD024PBF 产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | IRLD024PBF |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP |
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 库存 | 7569 |
| 系列 | - |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.5A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4V，5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 100 毫欧 @ 1.5A，5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 18 nC @ 5 V |
| Vgs（最大值） | ±10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 870 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 1.3W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | 4-HVMDIP |
| 封装/外壳 | 4-DIP（0.300"，7.62mm） |
