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IPB035N08N3GATMA1

现货

翔鸥贸易为您提供Infineon Technologies设计生产的IPB035N08N3GATMA1 型号,现有大量现货库存。IPB035N08N3GATMA1的封装/规格参数为TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;同时翔鸥贸易为您提供Infineon Technologies品牌IPB035N08N3GATMA1型号数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有IPB035N08N3GATMA1详细使用方法及教程。

制造商:Infineon Technologies
描述:MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
库存:5834
规格书:
IPB035N08N3GATMA1 产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 IPB035N08N3GATMA1
描述 MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
制造商 Infineon Technologies
库存 5834
系列 OptiMOS™
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 3.5 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 155µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 117 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 8110 pF @ 40 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 214W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-TO263-3
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
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