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翔鸥贸易为您提供Infineon Technologies设计生产的SPB11N60C3ATMA1 型号,现有大量现货库存。SPB11N60C3ATMA1的封装/规格参数为TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;同时翔鸥贸易为您提供Infineon Technologies品牌SPB11N60C3ATMA1型号数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有SPB11N60C3ATMA1详细使用方法及教程。
SPB11N60C3ATMA1 产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准! | |
制造商零件编号 | SPB11N60C3ATMA1 |
描述 | MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3 |
制造商 | Infineon Technologies |
库存 | 8226 |
系列 | CoolMOS™ |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 650 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 11A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 380 毫欧 @ 7A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3.9V @ 500µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 60 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1200 pF @ 25 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 125W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | PG-TO263-3-2 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |