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翔鸥贸易为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的TK9J90E,S1E 型号,现有大量现货库存。TK9J90E,S1E的封装/规格参数为TO-3P-3,SC-65-3;同时翔鸥贸易为您提供Toshiba Semiconductor and Storage品牌TK9J90E,S1E型号数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有TK9J90E,S1E详细使用方法及教程。
TK9J90E,S1E 产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准! | |
制造商零件编号 | TK9J90E,S1E |
描述 | MOSFET N-CH 900V 9A TO3P |
制造商 | Toshiba Semiconductor and Storage |
库存 | 4087 |
系列 | - |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 900 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 1.3 欧姆 @ 4.5A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 900µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 46 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 2000 pF @ 25 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 250W(Tc) |
工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | TO-3P(N) |
封装/外壳 | TO-3P-3,SC-65-3 |