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翔鸥贸易为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的TK099V65Z,LQ 型号,现有大量现货库存。TK099V65Z,LQ的封装/规格参数为4-VSFN 裸露焊盘;同时翔鸥贸易为您提供Toshiba Semiconductor and Storage品牌TK099V65Z,LQ型号数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有TK099V65Z,LQ详细使用方法及教程。
TK099V65Z,LQ 产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准! | |
制造商零件编号 | TK099V65Z,LQ |
描述 | MOSFET N-CH 650V 30A 5DFN |
制造商 | Toshiba Semiconductor and Storage |
库存 | 9887 |
系列 | DTMOSVI |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 650 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 30A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 99 毫欧 @ 15A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1.27mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 47 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 2780 pF @ 300 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 230W(Tc) |
工作温度 | 150°C |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | 5-DFN(8x8) |
封装/外壳 | 4-VSFN 裸露焊盘 |