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IRFI4227PBF 产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准! | |
制造商零件编号 | IRFI4227PBF |
描述 | MOSFET N-CH 200V 26A TO220AB FP |
制造商 | Infineon Technologies |
库存 | 8461 |
系列 | HEXFET® |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 200 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 26A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 25 毫欧 @ 17A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 110 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 4600 pF @ 25 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 46W(Tc) |
工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | TO-220AB 整包 |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |