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EPC2030 产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准! | |
制造商零件编号 | EPC2030 |
描述 | GANFET NCH 40V 31A DIE |
制造商 | EPC |
库存 | 8708 |
系列 | eGaN® |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | GaNFET(氮化镓) |
漏源电压(Vdss) | 40 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 31A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | - |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 2.4 毫欧 @ 30A,5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 16mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 18 nC @ 5 V |
Vgs(最大值) | - |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1900 pF @ 20 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | - |
工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | 模具 |
封装/外壳 | 模具 |