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DMNH15H110SK3-13

现货

翔鸥贸易为您提供Diodes Incorporated设计生产的DMNH15H110SK3-13 型号,现有大量现货库存。DMNH15H110SK3-13的封装/规格参数为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;同时翔鸥贸易为您提供Diodes Incorporated品牌DMNH15H110SK3-13型号数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有DMNH15H110SK3-13详细使用方法及教程。

制造商:Diodes Incorporated
描述:MOSFET BVDSS: 101V~250V TO252 T&
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
库存:2784
规格书:
DMNH15H110SK3-13 产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 DMNH15H110SK3-13
描述 MOSFET BVDSS: 101V~250V TO252 T&
制造商 Diodes Incorporated
库存 2784
系列 -
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 18A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 97 毫欧 @ 2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 25.5 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 987 pF @ 75 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 TO-252,(D-Pak)
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
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