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IPD050N03LGBTMA1

现货

翔鸥贸易为您提供Infineon Technologies设计生产的IPD050N03LGBTMA1 型号,现有大量现货库存。IPD050N03LGBTMA1的封装/规格参数为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;同时翔鸥贸易为您提供Infineon Technologies品牌IPD050N03LGBTMA1型号数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有IPD050N03LGBTMA1详细使用方法及教程。

制造商:Infineon Technologies
描述:MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
库存:9745
规格书:
IPD050N03LGBTMA1 产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 IPD050N03LGBTMA1
描述 MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31
制造商 Infineon Technologies
库存 9745
系列 OptiMOS™
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 50A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 5 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 31 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 3200 pF @ 15 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 68W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-TO252-3-11
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
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