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AOI7N65 产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准! | |
制造商零件编号 | AOI7N65 |
描述 | MOSFET N-CH 650V 7A TO251A |
制造商 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
库存 | 2167 |
系列 | - |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 650 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 7A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 1.56 欧姆 @ 3.5A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 24 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1180 pF @ 25 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 178W(Tc) |
工作温度 | -50°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | TO-251A |
封装/外壳 | TO-251-3 短截引线,IPak |