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翔鸥贸易为您提供Diodes Incorporated设计生产的DMT10H009LSS-13 型号，现有大量现货库存。DMT10H009LSS-13的封装/规格参数为8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；同时翔鸥贸易为您提供Diodes Incorporated品牌DMT10H009LSS-13型号数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有DMT10H009LSS-13详细使用方法及教程。
| DMT10H009LSS-13 产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | DMT10H009LSS-13 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 13A/48A 8SO T&R |
| 制造商 | Diodes Incorporated |
| 库存 | 4142 |
| 系列 | - |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 13A（Ta），48A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 9 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 40.2 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2309 pF @ 50 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 1.8W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
