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CSD13303W1015 产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准! | |
制造商零件编号 | CSD13303W1015 |
描述 | MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA |
制造商 | Texas Instruments |
库存 | 3026 |
系列 | NexFET™ |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 12 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 31A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 2.5V,4.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 20mOhm @ 1.5A, 4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.2V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 4.7 nC @ 4.5 V |
Vgs(最大值) | ±8V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 715 pF @ 6 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 1.65W(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | 6-DSBGA(1x1.5) |
封装/外壳 | 6-UFBGA,DSBGA |