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IPZ40N04S5L3R6ATMA1

现货

翔鸥贸易为您提供Infineon Technologies设计生产的IPZ40N04S5L3R6ATMA1 型号,现有大量现货库存。IPZ40N04S5L3R6ATMA1的封装/规格参数为8-PowerTDFN;同时翔鸥贸易为您提供Infineon Technologies品牌IPZ40N04S5L3R6ATMA1型号数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有IPZ40N04S5L3R6ATMA1详细使用方法及教程。

制造商:Infineon Technologies
描述:MOSFET_(20V 40V) PG-TSDSON-8
封装/外壳:8-PowerTDFN
库存:9592
规格书:
IPZ40N04S5L3R6ATMA1 产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 IPZ40N04S5L3R6ATMA1
描述 MOSFET_(20V 40V) PG-TSDSON-8
制造商 Infineon Technologies
库存 9592
系列 Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™-5
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 87A(Tj)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 3.6 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2V @ 21µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 32.8 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1966 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 58W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-TSDSON-8-33
封装/外壳 8-PowerTDFN
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