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NVMFWS016N10MCLT1G

现货

翔鸥贸易为您提供onsemi设计生产的NVMFWS016N10MCLT1G 型号,现有大量现货库存。NVMFWS016N10MCLT1G的封装/规格参数为8-PowerTDFN,5 引线;同时翔鸥贸易为您提供onsemi品牌NVMFWS016N10MCLT1G型号数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有NVMFWS016N10MCLT1G详细使用方法及教程。

制造商:onsemi
描述:PTNG 100V LL SO8FL
封装/外壳:8-PowerTDFN,5 引线
库存:6636
规格书:
NVMFWS016N10MCLT1G 产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 NVMFWS016N10MCLT1G
描述 PTNG 100V LL SO8FL
制造商 onsemi
库存 6636
系列 Automotive, AEC-Q101
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 10.9A(Ta),46A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 14 毫欧 @ 11A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 64µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 19 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1250 pF @ 50 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 3.6W(Ta),64W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装,可润湿侧翼
供应商器件封装 5-DFNW(4.9x5.9)(8-SOFL-WF)
封装/外壳 8-PowerTDFN,5 引线
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