24小时热线: 400-900-9110
地址
上海市奉贤区平庄西路1599号
400-900-9110
NVMFWS016N10MCLT1G 产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准! | |
制造商零件编号 | NVMFWS016N10MCLT1G |
描述 | PTNG 100V LL SO8FL |
制造商 | onsemi |
库存 | 6636 |
系列 | Automotive, AEC-Q101 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 100 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10.9A(Ta),46A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 14 毫欧 @ 11A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 64µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 19 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1250 pF @ 50 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 3.6W(Ta),64W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装,可润湿侧翼 |
供应商器件封装 | 5-DFNW(4.9x5.9)(8-SOFL-WF) |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN,5 引线 |