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翔鸥贸易为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的TJ8S06M3L(T6L1,NQ) 型号，现有大量现货库存。TJ8S06M3L(T6L1,NQ)的封装/规格参数为TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；同时翔鸥贸易为您提供Toshiba Semiconductor and Storage品牌TJ8S06M3L(T6L1,NQ)型号数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有TJ8S06M3L(T6L1,NQ)详细使用方法及教程。
| TJ8S06M3L(T6L1,NQ) 产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | TJ8S06M3L(T6L1,NQ) |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 8A DPAK |
| 制造商 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 库存 | 4479 |
| 系列 | U-MOSVI |
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 104 毫欧 @ 4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 19 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | +10V，-20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 890 pF @ 10 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 27W（Tc） |
| 工作温度 | 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | DPAK+ |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
