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NTMFS4C808NAT1G 产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准! | |
制造商零件编号 | NTMFS4C808NAT1G |
描述 | TRENCH 6 30V NCH |
制造商 | onsemi |
库存 | 6848 |
系列 | - |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9A(Ta),52A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 4.8 毫欧 @ 18A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.1V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 18.2 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1670 pF @ 15 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 760mW(Ta),25.5W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | 5-DFN(5x6)(8-SOFL) |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN,5 引线 |