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SIR624DP-T1-RE3

现货

翔鸥贸易为您提供Vishay Siliconix设计生产的SIR624DP-T1-RE3 型号,现有大量现货库存。SIR624DP-T1-RE3的封装/规格参数为PowerPAK® SO-8;同时翔鸥贸易为您提供Vishay Siliconix品牌SIR624DP-T1-RE3型号数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有SIR624DP-T1-RE3详细使用方法及教程。

制造商:Vishay Siliconix
描述:MOSFET N-CH 200V 5.7A/18.6A PPAK
封装/外壳:PowerPAK® SO-8
库存:2583
规格书:
SIR624DP-T1-RE3 产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 SIR624DP-T1-RE3
描述 MOSFET N-CH 200V 5.7A/18.6A PPAK
制造商 Vishay Siliconix
库存 2583
系列 ThunderFET®
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 5.7A(Ta),18.6A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 7.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 60 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 30 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1110 pF @ 100 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 5W(Ta),52W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PowerPAK® SO-8
封装/外壳 PowerPAK® SO-8
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