24小时热线: 400-900-9110
地址
上海市奉贤区平庄西路1599号
400-900-9110
AOI4S60 产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准! | |
制造商零件编号 | AOI4S60 |
描述 | MOSFET N-CH 600V 4A TO251A |
制造商 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
库存 | 4915 |
系列 | aMOS™ |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 600 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 900 毫欧 @ 2A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4.1V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 6 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 263 pF @ 100 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 56.8W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | TO-251A |
封装/外壳 | TO-251-3 短截引线,IPak |